下代旗舰高通骁龙835亮相 三星10nm助攻

2016-11-18 13:31:39     作者:黎赟      来源:it168

标签: 高通 高通骁龙 骁龙835 三星 10nm

近段时间有传言表示高通骁龙的下代旗舰芯片将更名,现在这一消息已经被高通确定,下代旗舰新片将命名为骁龙835,取代目前骁龙821/820,成为顶级移动处理器。并且将延续与三星的代工合作,采用三星的10nm FinFET工艺打造,功耗将会有所降低。

  【IT168 资讯】近段时间有传言表示高通骁龙的下代旗舰芯片将更名,现在这一消息已经被高通确定,下代旗舰新片将命名为骁龙835,取代目前骁龙821/820,成为顶级移动处理器。并且将延续与三星的代工合作,采用三星的10nm FinFET工艺打造,功耗将会有所降低。


  高通公司产品管理高级副总裁Keith Kressin和三星代工营销高级副总裁Ben Suh对外展示了高通骁龙Snapdragon 835芯片,它是第一款利用三星10nm技术制造的手机芯片,其中内建数百万晶体管。今年10月三星宣布在业界实现了10nm FinFET工艺的量产。三星表示10nm FinFET工艺与上一代14nm FinFET工艺相比能够减少30%的芯片尺寸,性能提升27%或功耗下降40%。

  这意味着高通835可以在更小的封装中提供更多性能和功能,同时手机制造商可以在更薄的手机上使用高通骁龙Snapdragon 835处理器,节省的额外空间可以提供更大电池或其他零组件。

  高通表示,该芯片已经开始批量生产,明年上半年正式商用,首批搭载10nm制程骁龙835芯片的手机很可能在明年二月的世界移动通信大会(World World Congress)上首次亮相,不过目前并没有更多关于骁龙835的配置参数。

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