10nm工艺骁龙835要来了 三星S8这是要首发?

2016-11-18 11:31:48     作者:汪洋      来源:腾讯数码

标签: 智能硬件 智能设备

与上代14纳米工艺相比,10纳米技术可以减少30%的芯片尺寸,同时提升性能27%以及降低40%的功耗。

腾讯数码讯(汪洋)11月17日消息,今天高通公司宣布将与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器,最大特色是采用三星10纳米制程工艺打造,同时支持Quick Charge 4.0快充技术。

高通方面表示,由于采用全新的10纳米制程工艺,骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能,从而提升移动设备的用户体验。

据悉,今年10月份,三星就率先公布了10纳米工艺的量产,与上代14纳米工艺相比,10纳米可以减少30%的芯片尺寸,同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10纳米工艺制程,高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸,让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构,比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外,制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。

除了骁龙835处理器之外,高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术,支持骁龙835处理器。QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率,官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时,充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C的支持,适配范围更广泛。

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