让手机充电5分钟,使用5小时,高通发布骁龙835

2016-11-18 11:30:20     作者:腾讯数码      来源:腾讯数码

标签: 高通 骁龙

日前,高通推出了下一代旗舰移动处理器骁龙835,和之前传闻一样,命名跳过了骁龙830。

日前,高通推出了下一代旗舰移动处理器骁龙835,和之前传闻一样,命名跳过了骁龙830,原因可能是考虑到了营销方面的需要。

骁龙835最大的一个特点是采用了三星10nm FinFET制造工艺,去年发布的骁龙820则是采用三星14nm FinFET工艺。三星是业内最早推出14nm制程芯片的半导体公司,大幅领先台积电等竞争对手,而这次向10nm跨进也实属必然。

三星10nm制程芯片于今年10月份开始量产,相对14nm工艺,其将在缩小30%的芯片尺寸的基础上,实现性能27%的提升以及40%的功耗降低。换句话说,全新的10nm工艺将能够在提升手机性能的同时,进一步提升续航能力。

另外,骁龙835还带来了Quick Charge 4.0快速充电标准,相比上一代QC 3.0标准,其充电速度提升了20%,充电效率提升了30%。仅需充电5分钟就可以提供长达5小时的电池寿命。

高通方面称,骁龙835已经开始生产,但搭载该处理器的产品上市还要等到明年上半年。不出意外的话,三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗舰将用上首批产品,只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。

值得一提的是,高通并没有释出该处理器的详细规格。但根据之前曝光的信息,其或将采用自研Kryo 200架构的八核心设计,GPU将升级为Adreno 540,内置X16基带,加入LPDDR4X内存,并且最高支持8GB运行内存。

在此之前,联发科和华为已经推出了他们的新旗舰产品。其中,联发科Helio X30采用台积电10nm工艺,性能相对X20/25有大幅提升。华为麒麟960则依旧采用16nm制程。另外,三星下一代Exynos 9也会用上自家10nm FinFET工艺,值得期待。

【本文来自腾讯新闻客户端自媒体,不代表腾讯新闻的观点和立场。】

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