三星S8尝鲜 三星宣布10nm工艺芯片量产

2016-10-18 13:31:39     作者:黎赟      来源:it168

标签: 骁龙830 Exynos 8895 三星 三星S8

早在去年年底,三星就曾对外公开了其10nm晶圆的模型,现在三星电子宣布已经量产10nm FinFET工艺芯片,这也让三星成为首家生产10纳米制程工艺芯片的厂家,进度领先于竞争对手台积电和英特尔等。同时三星表示,用10nm量产的芯片将用在明年上市的IT产品中,显然这是在指将会在明年年初发布的旗舰机型三星Galaxy S8手机。

  【IT168 资讯】早在去年年底,三星就曾对外公开了其10nm晶圆的模型,现在三星电子宣布已经量产10nm FinFET工艺芯片,这也让三星成为首家生产10纳米制程工艺芯片的厂家,进度领先于竞争对手台积电和英特尔等。同时三星表示,用10nm量产的芯片将用在明年上市的IT产品中,显然这是在指将会在明年年初发布的旗舰机型三星Galaxy S8手机。


  使用更先进的制造工艺,就意味着芯片的面积和功耗会越小。三星表示,相比14nm工艺,10nm工艺制造的芯片性能提升27%,同时功耗降低达40%,并且10nm工艺允许每个晶圆多制造30%的芯片。目前三星正在使用第一代10nm工艺量产芯片,该公司表示明年的商业产品能够用上第二代。

  根据之前的报道,星将是高通骁龙830芯片的独家代工商,这款芯片将会采用10纳米工艺制造。当然三星自家的旗舰级芯片Exynos 8895也将会采用10纳米工艺制造。而将在明年推出的三星Galaxy S8,预计仍将会采用Exynos 8895和骁龙830两种芯片方案。

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